企业简介
苏州远创达科技有限公司 main business:集成电路设计，销售本企业所研发的产品；从事电子元器件、通信产品的批发、进出口、佣金代理（拍卖除外）及相关业务。出资期限至2008-0-11-19 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
welcome new and old customers to visit our company guidance, my company specific address is: 苏州工业园区仁爱路150号.
If you are interested in our products or have any questions, you can give us a message, or contact us directly, we will receive your information, will be the first time in a timely manner contact with you.
苏州远创达科技有限公司的工商信息
- 320594400023493
- 91320594678981201X
- 在业
- 有限责任公司(台港澳与境内合资)
- 2008年08月27日
- MA GORDON CHIANG
- 133.168万元美元
- 2008年08月27日 至 2058年08月19日
- 苏州工业园区市场监督管理局
- 2016年01月15日
- 苏州工业园区华云路1号C5楼2层
- 晶体管与模块设计，新型电子元器件和半导体分立器件集成电路的设计、封装、测试、生产，销售本企业研发的产品；从事电子元器件、电子专用材料、晶体管晶元和晶片、电子专用设备、测试仪器、工模具、半导体封装测试设备及通信产品的批发、进出口、佣金代理（拍卖除外）及相关业务（上述涉及配额、许可证管理及专项管理的商品，根据国家有关规定办理）。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
苏州远创达科技有限公司的商标信息
| 序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
| 1 | 11388552 |  |
IMODULE | 2012-08-22 | 电子信号发射器；发射机(电信)；发射器(电信)；晶片(硅片)；半导体；集成电路；芯片(集成电路)；电子芯片 | 查看详情 |
| 2 | 11382915 |  |
INNOGRATION | 2012-08-21 | 电子信号发射器；发射机(电信)；发射器(电信)；晶片(硅片)；半导体；集成电路；芯片(集成电路)；电子芯片；半导体器件；放大器；放大管；电容器；发射管；超高频管；电导体；电阻器 | 查看详情 |
| 3 | 11383105 |  |
ITRANSISTOR | 2012-08-21 | 电子信号发射器；发射机(电信)；发射器(电信)；晶片(硅片)；半导体；集成电路；芯片(集成电路)；电子芯片；半导体器件；放大器；放大管；电容器；发射管；超高频管；电导体；电阻器 | 查看详情 |
| 4 | 7540924 |  |
IN | 2009-07-13 | 电子信号发射器；电子信号发射机；发射机(电信)；晶片(锗片)；半导体；集成电路；集成电路块；电子芯片；半导体器件；放大器；放大管；电容器；发射管；超高频管；电阻器 | 查看详情 |
苏州远创达科技有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN103346096B | 一种RF射频器件的封装工艺 | 2016.08.10 | 一种RF射频器件的封装工艺，采用烧结型导电银胶作为连接材料，借助烧结型导电银胶良好的导电性能和导热性 |
| 2 | CN106611786A | 一种MOS管器件 | 2017.05.03 | 一种MOS管器件，该MOS管器件具有两个栅极，其中第一栅极为设置在沟道上方的控制器件开关的普通栅极， |
| 3 | CN106301290A | 一种自谐振射频功率源 | 2017.01.04 | 本申请提供了一种自谐振射频功率源，包括：场效应管、功率耦合控制单元、频率选择单元、第一匹配电路、第二 |
| 4 | CN105448893A | 一种半导体器件中的静电放电保护结构及半导体器件 | 2016.03.30 | 一种半导体器件的静电放电保护结构及半导体器件，该静电放电保护结构具有一对背靠背的二极管，在其中一个二 |
| 5 | CN102790086B | 具有阶梯式多重不连续场板的LDMOS器件及制造方法 | 2016.03.30 | 本发明公开了一种具有阶梯式多重不连续场板的LDMOS器件及制造方法，该LDMOS器件包括半导体本体， |
| 6 | CN102956605B | 一种半导体部件及其制作方法 | 2016.03.23 | 本发明揭示了一种半导体部件，该半导体部件利用表面安装元件形成的被动元件与半导体芯片中的主动元件集成在 |
| 7 | CN103237412B | 一种电子件安装结构及制作方法、电子件产品 | 2016.03.23 | 一种电子件安装结构及制作方法、电子件产品，该电子件安装结构包括印刷电路板，金属法兰，以及设置在该金属 |
| 8 | CN103390593B | 一种半导体衬底及其制造方法 | 2015.09.23 | 一种半导体衬底及其制作方法，该半导体衬底包括支撑衬底，依次位于该支撑衬底上的多晶硅层、第一氧化层和半 |
| 9 | CN102623416B | 一种射频功放模块的功率器件无封装结构及其组装方法 | 2015.09.02 | 本发明公开了一种射频功放模块的功率器件无封装结构及其组装方法，所述射频功放模块包括功率器件、散热板以 |
| 10 | CN102969986B | 一种射频功率放大器的输出电路结构 | 2015.07.08 | 一种射频功率放大器的输出电路结构，该输出电路结构包括了二次谐波谐振网络、三次谐波谐振网络，以及漏源电 |
| 11 | CN103390593A | 一种半导体衬底及其制造方法 | 2013.11.13 | 一种半导体衬底及其制作方法，该半导体衬底包括支撑衬底，依次位于该支撑衬底上的多晶硅层、第一氧化层和半 |
| 12 | CN103346096A | 一种RF射频器件的封装工艺 | 2013.10.09 | 一种RF射频器件的封装工艺，采用烧结型导电银胶作为连接材料，借助烧结型导电银胶良好的导电性能和导热性 |
| 13 | CN103237412A | 一种电子件安装结构及制作方法、电子件产品 | 2013.08.07 | 一种电子件安装结构及制作方法、电子件产品，该电子件安装结构包括印刷电路板，金属法兰，以及设置在该金属 |
| 14 | CN202978828U | 一种射频功率放大器的输出电路结构 | 2013.06.05 | 一种射频功率放大器的输出电路结构，该输出电路结构包括了二次谐波谐振网络、三次谐波谐振网络，以及漏源电 |
| 15 | CN202977410U | 一种半导体部件 | 2013.06.05 | 本实用新型揭示了一种半导体部件，该半导体部件利用表面安装元件形成的被动元件与半导体芯片中的主动元件集 |
| 16 | CN202888188U | 具有阶梯式多重不连续场板的LDMOS器件 | 2013.04.17 | 本实用新型公开了一种具有阶梯式多重不连续场板的LDMOS器件，包括半导体本体，该LDMOS器件包括半 |
| 17 | CN102969986A | 一种射频功率放大器的输出电路结构 | 2013.03.13 | 一种射频功率放大器的输出电路结构，该输出电路结构包括了二次谐波谐振网络、三次谐波谐振网络，以及漏源电 |
| 18 | CN102956605A | 一种半导体部件及其制作方法 | 2013.03.06 | 本发明揭示了一种半导体部件，该半导体部件利用表面安装元件形成的被动元件与半导体芯片中的主动元件集成在 |
| 19 | CN202633264U | 一种射频功放模块的功率器件无封装结构 | 2012.12.26 | 本实用新型公开了一种射频功放模块的功率器件无封装结构，所述射频功放模块包括功率器件、散热板以及印刷线 |
| 20 | CN102790086A | 具有阶梯式多重不连续场板的LDMOS器件及制造方法 | 2012.11.21 | 本发明公开了一种具有阶梯式多重不连续场板的LDMOS器件及制造方法，该LDMOS器件包括半导体本体， |
| 21 | CN102623416A | 一种射频功放模块的功率器件无封装结构及其组装方法 | 2012.08.01 | 本发明公开了一种射频功放模块的功率器件无封装结构及其组装方法，所述射频功放模块包括功率器件、散热板以 |
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